Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (солнечные элементы) – это силовые полупроводниковые приборы, генераторы, осуществляющие прямое преобразование световой энергии в электрическую за счет наличия в конструкции фоточувствительных материалов. Современные гетероструктурные солнечные элементы, демонстрирующие рекордные значения по эффективности преобразования, имеют сложную полупроводниковую структуру (InGaP/InGaAs/Ge), металлические токосборные контакты, защитное просветляющее покрытие. Эти элементы конструкции и технологии их создания в том или ином виде находят применение в других полупроводниковых приборах. Вместе с тем солнечные элементы являются планарными приборами и для них принципиальным становится соблюдение заданных параметров для всех частей конструкции на большой площади прибора, потому к технологии их изготовления предъявляются повышенные требования. Особенности технологии, методы и методики измерений и исследований, применяемые при создании таких приборов, могут быть полезны специалистам, работающим и с другими полупроводниковыми приборами. В настоящем практикуме собраны лабораторные работы, проводимые на исследовательском и измерительном оборудовании, применяемом в технологии изготовления каскадных фотопреобразователей с эпитаксиально-выращенными структурами на основе соединений АIIIBV (арсенидов и фосфидов галлия, индия, алюминия). Практикум предназначен студентам, обучающимся по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», профиль подготовки «Полупроводниковые преобразователи энергии».