Фотоэмиссионный анализ излучения основан на зависимости распределения фотоэлектронов внешнего фотоэффекта по энергиям от распределения фотонов в спектре излучения. Экспериментально решена обратная некорректно поставленная задача восстановления сплошных и линейчатых спектров чисто электронным способом без применения каких-либо оптических средств. Излучение объекта используется в телесном угле вплоть до 2 π , световые потоки 10 –8 –10 –10 Вт. Идентификация монохроматического излучения фото– и катодолюминесценции слоистых эпитаксиальных полупроводниковых структур позволила за счёт увеличения контраста в растровом электронном микроскопе обнаружить и определить состав слоев при уровне световых потоков ~ 10 –10 Вт. Анализ теплового излучения позволяет измерять интегральную цветовую температуру объекта с временным разрешением 10 –6 с при методической погрешности измерений ~ 0,3 %. Рассмотрены требования, предъявляемые к датчику для выполнения фотоэмиссионного анализа излучения.