Представлено описание оригинальных методов и средств контроля качества светодиодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами по электрофизическим и электрооптическим характеристикам. Особое внимание уделено способам диагностики дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетеро-структур по статическим и динамическим параметрам электролюминесценции и фотоэлектрического отклика, измеренным в локальных областях кристалла светодиода. Рассматриваются модели деградации светодиодов на основе InGaN/GaN гетеро-структур, учитывающие неоднородное распределение дефектов в активной области. Монография может быть полезна научным работникам, преподавателям высших технических учебных заведений, аспирантам соответствующих специальностей, а также инженерам и технологам, занимающимся разработкой светоизлучающих диодов и устройств на их основе.